Prof. Dr. A. Jüngel
Universität Konstanz
Numerische Approximation makroskopischer Gleichungen fuer Halbleiterbauteile
Abstract: Die fortschreitende Miniaturisierung von Halbleiterbauteilen führt dazu, dass Modelle entwickelt werden müssen, die die physikalischen Effekte (Temperatur-, Quanteneffekte) berücksichtigen. In diesem Vortrag werden drei verschiedene makroskopische Modelle vorgestellt und deren Herleitung diskutiert: das isentrope Drift-Diffusionsmodell, die Energie-Transport-Gleichungen und das Quanten-Drift-Diffusionsmodell.
Bei den beiden erst genannten Modellen handelt es sich im stationären Fall um Systeme von nichtlinearen elliptischen Gleichungen. Diese werden in zwei Raumdimensionen mittels gemischten Finiten Elementen diskretisiert und für Halbleiterdioden bzw. Kanälen von MOS-Transistoren numerisch gelöst. Fuer das dritte Modell, das eine nichtlineare parabolische Gleichung vierter Ordnung enthält, werden ein positivitätserhaltendes numerisches Schema vorgeschlagen und eine einfache Resonanztunneldiode numerisch simuliert.
| Zeit: | Freitag, 17. November 2000, 14.15 Uhr |
| Ort: | FU Berlin, Arnimallee 2-6, Raum 032 im EG |